HBM份额争夺战打响！三星率先亮出底牌 或增大DRAM尺寸
随着英伟达Vera Rubin出货节点日益临近，存储巨头围绕HBM4市场份额的霸权争夺战已然打响。
三星率先亮出底牌。据ZDNet Korea近日报道，三星电子决定增大其第六代10nm级DRAM芯片的尺寸，从而同时提升DRAM和HBM4的性能。据悉，芯片尺寸的扩大能保证TSV（硅通孔）工艺的稳定性，HBM4由于I/O数量增加，需要在DRAM中设置更多的TSV孔。
当三星的DRAM拥有更大的可用面积，TSV布局方面即可获得更大的灵活性，如降低了TSV密度，便于散热并确保可靠性。
问题在于，增大DRAM尺寸或意味着利润缩水——因将减少每片晶圆可生产的芯片数量。此外，三星电子在HBM4核心芯片中采用了领先竞争对手一代的1c DRAM技术，然而1c DRAM的良率仍然只有60%左右，其正集中精力提高良率，同时抢先为英伟达大规模生产HBM4。
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